ফাস্ট MOSFET টেস্ট

.

অনলাইন আলোচনা প্রায়ই আমি নিজেকে ব্যাখ্যা করতে কিভাবে MOSFET প্রধান থাকার এটি, একটি multimeter সঙ্গে পরীক্ষা দ্রুততম কিন্তু, নিশ্চিতভাবে থেকে নয় আবেগপ্রবণ শাসন সঠিকভাবে উপাদান ফাংশন যে.

ড্রয়ার যেখানে সমর্থন সাময়িকভাবে ট্রেড শো এ তৈরি ক্রয়ের মাধ্যমে rummaging আমি আমার হাত ধারণকারী একটা খাম পাওয়া 50 CD4049 টুকরা সম্ভবত মধ্যে বাল্ক মধ্যে ক্রয় 5 এবং আমি 20 টুকরা প্রতি সেন্ট, উন্মুক্তভাবে আমি মনে করতে পারছি না, স্পষ্টভাবে আরো পরিসংখ্যান জন্য আমি তাদের একটি ট্রেড শো গৃহীত হতো না.

আমি স্থির করি যে দরকারী এবং সহজ কিছু এর জন্য কমপক্ষে একটি ব্যবহার করার সময় এসেছে, একটি বিকল্প ব্যবস্থা মোসফেট পরীক্ষা যা আমাকে সততা সম্পর্কে উত্তর দেয়, মেরুতা সম্পর্কে এবং ড্রেন এবং সার্সের মধ্যে পরজীবী ডায়োড উপস্থিত কিনা.

এটি একটি জটিল বা ব্যয়বহুল জিনিস না হওয়া উচিত, আমি নিজেকে নির্ধারণ করা ফাংশনগুলি বজায় রেখে হাড়ের উপাদানগুলি সীমাবদ্ধ করার চেষ্টা করি.

প্রথমত, একটি মোসফেট কী, ব্যাখ্যাগুলিতে খুব বেশি দূরে না গিয়েই থ্রি-টার্মিনাল সেমিকন্ডাক্টর উপাদান.

ডি এবং এস এর মধ্যে একটি প্রতিরোধী চ্যানেল রয়েছে যা জি-তে উপস্থিত ভোল্টেজ দ্বারা সংশোধিত হয়, কখনও কখনও ডি এবং এস এর মধ্যে একটি পরজীবী ডায়োড থাকে যা সাধারণত বিপরীতভাবে মেরুকৃত হয় এবং তাই স্বাভাবিক অপারেশনে তাৎপর্যপূর্ণ নয়.

কি পরীক্ষা করা উচিত

প্রথমত, পূর্বোক্ত ডায়োডের দক্ষতা প্রমাণ করতে হবে, পরবর্তীকালে প্রতিরোধী চ্যানেলের দক্ষতা এবং তৃতীয় বীটে যদি প্রতিরোধী চ্যানেলটি সঠিকভাবে চালিত করার উদ্দেশ্যে হয় তবে তা পরিমিত করা হয়.

এইভাবে এটি জটিল মনে হয় রাখুন, তবে এটি সমস্ত কিছু স্বয়ংক্রিয়ভাবে ব্যবহার করা খুব সহজ.

অসিলেটর

শুরু করতে আমার একটি সাধারণ দোলকের দরকার, অনেকগুলি উপাদান প্রয়োজন হয় না এবং যা সিডি 4049 ব্যবহার করার সিদ্ধান্ত নিয়েছি তা সংহত করে অন্তর্ভুক্ত করা যায়

সর্বাধিক সুস্পষ্ট পছন্দটি একটি বর্গাকার তরঙ্গ দোলক তৈরি করা যা কেবলমাত্র দুটি বাহ্যিক উপাদান দিয়ে তৈরি করা যেতে পারে, কোনও ঝাঁকুনি খেয়াল না করার জন্য প্রশ্নে এবং রেটিনাল স্থায়ীত্বের চেয়ে বেশি ফ্রিকোয়েন্সিতে ব্যবহারের জন্য যথেষ্ট স্থিতিশীল.

স্কিম তৈরি অবশিষ্ট ব্যবহার 4 ড্রাইভিং এবং ফলাফল প্রদর্শনের জন্য একটি বর্তমান বাফার হিসেবে বৈদ্যুতিন সংকেতের মেরু বদল.

স্কিম লয়

এটা এই বেরিয়ে আসেন

U1.1 এবং U1.2 অসিলেটর যার আউটপুট ড্রাইভ অবশিষ্ট চারটি উপাদান প্রশ্নে MOSFET এর D এবং এস টার্মিনাল সংযুক্ত গঠন, R2 এবং একযোগে S1 বোতাম মাধ্যমে পরীক্ষা উপাদান গেট পাইলট হবে, R4 গেট ক্যাপ্যাসিট্যান্স পালনের একমাত্র ফাংশন piloting অনুপস্থিতিতে MOSFET বন্ধ করতে হয়েছে, চতুর্থাংশ 1 এবং Q2 এর মধ্যে সমান্তরালভাবে পরিপূরক স্কিম MOSFET হয়, আসলে সেখানে শারীরিকভাবে নয়, উপাদান পরীক্ষা করা উপস্থাপন.

অপারেশন

প্রাথমিকভাবে, একবার D এবং এস মধ্যে সার্কিট ভোল্টেজ থেকে উপাদান এবং তারিখ স্থান একটি ইতিবাচক ও নেতিবাচক সময়ের সাথে সাথে একটি পর্যায়ক্রমে ভোল্টেজ থাকবে.

এটা তোলে ঘটতে পারে 4 antiparallel দুটি এলইডি অবস্থার

1 নেতৃত্বাধীন D1 D2 গ্রাহকের সক্রিয় এবং দেহাবশেষ সুইচ বন্ধ ইঙ্গিত করে যে এটি একটি MOSFET P এবং পরজীবী ডায়োডের কাজ করে

2 নেতৃত্বাধীন D1 D2 গ্রাহকের সক্রিয় এবং দেহাবশেষ সুইচ বন্ধ ইঙ্গিত এটি একটি MOSFET উত্তর এবং পরজীবী ডায়োডের কাজ যে

3 কোন LED লাইট এবং বা কোন পরজীবী ডায়োড বা MOSFETs ক্ষতিগ্রস্ত হয়

4 উভয় এলইডি উজ্জ্বল এবং কম্পোনেন্ট সংক্ষেপে হয়

দ্বিতীয় পর্বে

এটা তোলে নির্ধারণ করেছি যে শুধুমাত্র একটি এলইডি এখন আলো আপ বোতাম টিপে বিকল্প কাজ পরিচিত হবে, এবং এখানে আমরা মাত্র দুটি শর্ত আছে

1 উভয় এলইডি বিক্ষোভের চ্যানেলের সঠিকভাবে চালিত হয় সঙ্গে চালু থাকে

2 শুধুমাত্র এক LED শয়নকামরা দেহাবশেষ নির্দেশ করে যে চ্যানেল চালিত হয় না এবং উপাদান নষ্ট হয়ে গেছে

মাত্র দুই আরো এলইডি আপনি পাই নি, উপরন্তু পরীক্ষা ফাস্ট হতে হয় এবং পরীক্ষা এখানে তিন সেকেন্ডের মধ্যে সম্পন্ন করা হয়, ভোল্টেজ থেকে উপাদান অবস্থানের, এলইডি রাজ্যের তাকান, বাটন প্রেস এবং যদি আপনি উভয় এলইডি সুইচ দেখতে, সহজ যে এর চেয়ে আমি যা উদ্ভাবিত জানি না.

বর্ণনা বাদ থাকে কিন্তু R3 স্বজ্ঞাত cge শুধুমাত্র বর্তমান এলইডি মধ্যে প্রবাহিত সীমিত করতে সেটি হল.

পার্শ্বযুক্ত একক মুদ্রিত এবং ইন্টিগ্রেটেড করার জন্য একটি সেতু অধীনে একটি সম্ভাব্য সমাধান নীচে

পাশ উপাদান

তামা পাশ

3D দেখুন

যদিও আমি মনে করি যে ম্যাট্রিক্স বোর্ড একটি বিট জন্য উপাদান ছোট নম্বর দেওয়া আউটে না করে ব্যবহার করা যেতে পারে.

Amilcare গ্রিটিংস