SEPIC ডিসি ডিসি কনভার্টার

এই ডিসি / ডিসি মৌলিক কনফিগারেশনের উপর পরবর্তী প্রবন্ধে করে হিসেবে কনফিগারেশনের শিরোনাম SEPIC বলা হয় দুই উপাদানের সংক্ষিপ্ত তার লক্ষণীয় তথ্য আছে:

একটি ক্যাপাসিটরের উপস্থিতির ইনপুট এবং আউটপুট ধন্যবাদ মধ্যে সরাসরি সংযোগ না থাকায়

হরিণ-বুস্ট মোডে অপারেশন.

বর্ণনা করা হবে সকল সূত্র সঙ্গে স্বাভাবিক এলাকায় যেখানে এটি ব্যবহার করা হয় এবং একটি উদাহরণ যেমন একটি কনফিগারেশন সঙ্গে একটি বাস্তব পাওয়ার সাপ্লাই গণনা করতে.

লিথিয়াম-আয়ন ব্যাটারি এবং কম ESR ক্যাপাসিটারগুলিকে SEPIC টপোলজি করার জন্য একটি নতুন জাঁকজমক দিচ্ছেন. নিঃ SEPIC (কনভার্টার একক শেষ হয়েছে প্রাথমিক আবেশাঙ্ক) এটা তোলে সত্য দ্বারা আলাদা করা হয় যে, তার ইনপুট ভোল্টেজ পরিসীমা আউটপুট ভোল্টেজ থেকে ওভারল্যাপ পারে. যেহেতু SEPIC উপর সাহিত্য দরিদ্র, শক্তি কনভার্টার সামান্য অভিজ্ঞতার সঙ্গে ডিজাইনার এই কনফিগারেশন অবলম্বন এড়িয়ে, এটি কিছু করতে সময়’ নির্মলতা.

লিথিয়াম ব্যাটারি খুব সফল হয়, মূলত তাদের চিত্তাকর্ষক শক্তি ঘনত্ব ধন্যবাদ. একটি একক লিথিয়াম কক্ষের একটি ভোল্টেজ প্রদান করে 4,2 ভী যখন এটি পরিপূর্ণ চার্জ হতে প্রতিস্থাপন করতে পারেন 3 ণ NiCd NiMH. এই ভোল্টেজ অবশিষ্ট ধারণক্ষমতা এটি ভোল্টেজ আপ ব্যবহার করা যেতে পারে উপর নির্ভর করে 2,7 ভী. একজন SEPIC যেমন ব্যাটারি ব্যবহার করার জন্য একটি আদর্শ বর্তনী হয়.

SEPIC তাদের সম্পত্তি বিদ্যুৎ নেটওয়ার্কে কম শব্দ উৎপন্ন করার জন্য 400V আধুনিক শক্তি সরবরাহ 315V থেকে শুরু ভোল্টেজ বাড়াতে এর টিভি অ্যাপ্লিকেশন সন্ধান. যদি শিখর ইনপুট ভোল্টেজ বেশী এটি আউটপুট স্তরের এমনকি প্রয়োজনীয় উপলব্ধ (বৈদ্যুতিক ঘটনা থেকে ফল্ট শতাংশ হ্রাস).

বেসিক সমীকরণ

বুস্ট টপোলজি (ব্যক্তিত্ব 1) এটা তোলে SEPIC কনভার্টার জন্য ভিত্তি. বুস্ট রূপান্তরকারী নীতিকে আমি আগের প্রবন্ধে এটা ব্যাখ্যা:

1সুইচ SW, টন সময় বন্ধ করা হয় °, দীক্ষাগুরু সঞ্চিত চৌম্বক শক্তি বৃদ্ধি পেতে L1.

ব্যক্তিত্ব 1. এই বুস্ট টপোলজি পাওয়ার সাপ্লাই সার্কিট জন্য ভিত্তি SEPIC.

2° সুইচ Toff সময় প্রর্দশিত, নৈবেদ্য D1 এবং COUT সঞ্চিত চৌম্বক শক্তি কেবল পাথ হিসাবে. COUT D1 মাধ্যমে পেতে L1 থেকে উত্পন্ন ডাল ফিল্টার. যখন VOUT অপেক্ষাকৃত কম, এটা সম্ভব কম এগিয়ে ভোল্টেজ সঙ্গে একটি Schottky ডিত্তড ব্যবহার করে দক্ষতা উন্নত করার জন্য. VOUT VIN থেকে বড় হওয়া উচিত. বিপরীত যদি (ওয়াইন> VOUT) D1 সরাসরি সমবর্তিত হয় এবং কিছুই VOUT করার VIN থেকে বর্তমান প্রবাহ রোধ করে.

SEPIC স্কীম ব্যক্তিত্ব 2 একটি ক্যাপাসিটরের সন্নিবেশ করার মাধ্যেমে এই সীমাবদ্ধতা সরিয়ে ফেলা হবে (CP) L1 ও D1 মধ্যে. এই স্পষ্টত ক্যাপাসিটরের ইনপুট এবং আউটপুট মধ্যে ব্লক কোনো ডিসি কম্পোনেন্ট. D1 এর ধনধ্রুব, কিন্তু, এটা একটা পরিচিত সম্ভাবনা সংযুক্ত করতে হবে. এই একটি দ্বিতীয় দীক্ষাগুরু মাধ্যমে মাটিতে D1 সংযোগ দ্বারা অর্জিত হয় (ও L2).

ব্যক্তিত্ব 2. SEPIC বর্তনী একটি সুবিধা, হরিণ বৈশিষ্ট্য ছাড়াও / সাহায্য, এটা একটা ক্যাপাসিটরের হয় (CP) যে ভী করতে বাধা দেয় অবাঞ্ছিত বর্তমান প্রবাহইন ও Vআউট.

ও L2 হল L1 থেকে পৃথক করা যেতে পারে অথবা একই কোর উপর আবৃত, আবেদন চাহিদার উপর নির্ভর করে. যেহেতু আধুনিক কনফিগারেশন কেবল একটি ট্রান্সফরমার হয়, এক তর্ক হতে পারে এই একটি ক্লাসিক flyback হয়. টিপিক্যাল flyback snubber একটি নেটওয়ার্ক অভাবে অন্যথায় প্রমাণ. ফুটো আবেশাঙ্ক SEPIC স্কিম একটা সমস্যা হয় না. প্রধান পরজীবী রোধ RL1, RL2, RSW এবং Rcp যথাক্রমে হল L1 সাথে সংশ্লিষ্ট, ও L2, দঃপঃ ই CP.

যদিও খুব কম উপাদানগুলি নেই, একটি SEPIC কনভার্টার অপারেশন সমীকরণ মধ্যে আনমনা করা এত সহজ নয়.

ধরুন যে লহরী বর্তমান এবং ভোল্টেজ মান ডিসি উপাদান তুলনায় ছোট.

আরম্ভ করার জন্য, আমরা আসলে সুস্থিতি এ দুটি inductances L1 ও L2 মধ্যে কোন ডিসি ভোল্টেজ ড্রপ যে প্রকাশ (অবহেলা পরজীবী রোধ যে). অতএব, CP একদিকে একটি ডিসি সম্ভাব্য VIN দেখেন, এটি L1 মাধ্যমে, এবং অন্য দিকে জমি, ও L2 মাধ্যমে. CP এর ডিসি ভোল্টেজ হল:

(VCp)VIN = (EQ. 1)

“টি” এটা একটা সুইচিং চক্রের সময়ের. আমরা α যুগের টি অংশ, যার জন্য SW, বন্ধ আছে এবং 1-α অবশিষ্ট অংশ ডাকব.

যেহেতু এটি L1 গড় ভোল্টেজ স্থির অবস্থা অবস্থার সময় শূন্য সমান, αT সময় হল L1 থেকে দেখুন ভোল্টেজ (স্বন) ঠিক সময় পর্যবেক্ষিত টান দ্বারা অফসেট হয় (1-একটি) টি (উত্তম বেশভূষাপরিহিত ব্যক্তি):

αTVIN = (1-একটি) টি (VOUT + + VD + + VCp- ওয়াইন) = (1-একটি) টি (ARCH দ্বারা + + VD).

VD একটি অবিচ্ছিন্ন প্রবাহ জন্য D1 সম্মুখে ভোল্টেজ ড্রপ হয় (IL1 + IL2), ই

Vcp VIN সমান:

(ARCH দ্বারা + + VD) / VIN = A / (1-একটি) অয় = (EQ. 2)

অয় বিকাস ফ্যাক্টর বলা হয়, ঘুঘু “আমি” এটা তোলে, যার জন্য পরজীবী রোধ নাল হয় আদর্শ ক্ষেত্রে প্রতিনিধিত্ব করে. VOUT চেয়ে VD অবহেলা (একটি প্রথম পড়তা হিসাবে), আমরা দেখতে যে VOUT এবং VIN মধ্যে সম্পর্ক বড় বা কম হতে পারে 1, α মান উপর নির্ভর করে (সমতার জন্য α = প্রাপ্ত সঙ্গে 0.5).

এই প্রতিবেদনটি classologie stepdown বা ক্লাসিক stepdown চেয়ে SEPIC কনভার্টার বৈশিষ্ট্য উপস্থাপন.

আরও ভালো অভিব্যক্তি আ সার্কিট পরজীবী রোধ ব্যাখ্যা:

আ = [Vout + + VD + + Iout *(কে * RCP + + RL2)] / [ওয়াইন- অয়(RL1 + + Rsw) Iout- Rsw * Iout] (EQ. 3)

এই সূত্র ন্যূনতম বিকাস কারণের নিরূপণ করতে ব্যবহৃত হয়, টিপিক্যাল এবং সর্বোচ্চ VIN(বিশ্বস্ত, Aarip এবং Aamax). সূত্র রিকার্সিভ হয় (“একজন” এটা তোলে অভিব্যক্তি উভয় ফলাফলে এটি প্রদর্শিত), কিন্তু কিছু পুনরাবৃত্ত গণনার এসিম্পটোটিকভাবে সমাধান হতে. সুইচ SW, এবং D1 মধ্যে বিপরীত স্রোতের কারণে অভিব্যক্তি অবহেলা রূপান্তরটি লোকসান. এই ক্ষতির সাধারণত তুচ্ছ হয়, বিশেষ করে যদি SW, ফাস্ট MOSFET এবং তার ড্রেন ভোল্টেজ ট্যুরের হয় (VIN + + ARCH দ্বারা + + VD) নীচে 30V দেহাবশেষ (কম ক্ষতি MOSFET আজকের জন্য আপাত সীমা).

স্থলবিশেষে, আপনার কাছে কারণে উচ্চ পর্যায়ের আনয়ন গ্রেডিয়েন্ট কারণে বর্তমান D1 এবং কোর লোকসান বিপরীত অ্যাকাউন্ট লোকসান নিতে হবে. আপনি α সংশ্লিষ্ট মান থেকে দূরদর্শন পারেন’ Eq.2:

αzz Aazz = / (1 + Aazz), যেখানে ZZ মিনিট, typ ণ সর্বোচ্চ. (EQ. 4)

CP মাধ্যমে ডিসি বর্তমান কিছুই নয়, তারপর গড় আউটপুট বর্তমান শুধুমাত্র ও L2 দ্বারা প্রদান করা যেতে পারে:

IOUT = IL2 (EQ. 5)

ও L2 বিদ্যুৎ অপচয় প্রয়োজন ক্ষয়িত হয়, ও L2 গড় বর্তমান যেহেতু এটা সবসময় IOUT সমান এবং VIN মধ্যে বৈচিত্র উপর নির্ভর করে না. এটি L1 বর্তমান নিরূপণ করার জন্য (IL1), আমরা ধরে নিই যে কোন বর্তমান CP মাধ্যমে প্রবাহিত করতে. অতএব, চার্জ αT সময় প্রবাহিত Coulomb পুরোপুরি সময় বিপরীত Coulomb একটি চার্জ দ্বারা সুষম হয় (1-একটি) টি.

যখন সুইচ বন্ধ করা হয় (একটি বিরতি αT জন্য) নোড একটি সম্ভাব্য 0V এ সেট করা হয়. সমীকরণ অনুযায়ী 1, নোড বি সম্ভাব্য -Vin হয়, যে ব্যস্ত D1 reverses. CP মাধ্যমে বর্তমান তারপর IL2 হয়.

যখন সুইচ সময় খোলা থাকা অবস্থায় (1-একটি) টি, IL2 যখন IL1 CP মাধ্যমে প্রবাহিত D1 দিয়ে প্রবাহিত: αT * IL2 = (1-একটি) টি * IL1.Sapendo যে IL2 = IOUT,

IL1 = Aazz * IOUT (EQ 6)

যেহেতু ইনপুট শক্তি আউটপুট শক্তি দক্ষতা দ্বারা বিভক্ত সমান, আইএল-1 VIN উপর অত্যন্ত নির্ভরশীল. একটি প্রদত্ত আউটপুট শক্তি জন্য, IL1 বৃদ্ধির যদি VIN কমে যায়. যে IL2 জানা (তারপর IOUT) αT সময় CP মধ্যে প্রবাহিত, আমরা পছন্দ করে সিপি যাতে তার লহরী ΔVCp Vcp খুব ছোট ভগ্নাংশ (গ = ডাল 1% আল 5%). সবচেয়ে খারাপ ক্ষেত্রে ঘটে যখন VIN সংক্ষিপ্ত.

CP> IOUT * αminT / (গ * VINmin) (EQ. 7)

Multilayer সিরামিক ক্যাপাসিটারগুলিকে মধ্যে উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সির নিয়ামক এবং সাম্প্রতিক অগ্রগতির অপারেশন সমন্বয় (MLC) ছোট এবং অ সমবর্তিত ক্যাপাসিটারগুলিকে CP ব্যবহার করতে পারবে. নিশ্চিত করুন যে CP অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধের কারণে পিসিপি বিদ্যুৎ অপচয় সমর্থন করতে সক্ষম হয় (Rcp):

PCP = Aamin * Rcp * IOUT² (EQ. 8)

Rsw, সাধারণত সর্বাধিক বর্তমান সীমিত একটি সরিয়া যাত্তয়া সাথে সিরিজে ড্রেন সোর্স প্রতিরোধের MOSFET সুইচ দ্বারা গঠিত, নিম্নলিখিত ক্ষতি জড়িত:

Psw = Aamin (1 + বিশ্বস্ত) Rsw IOUT² (EQ. 9)
লোকসান PR1 এবং PR2 অভ্যন্তরীণ রোধ L1 ও L2 কারণে সহজে গণনা করা হয় :

Prl1 = Aamin² Rl1 IOUT² (EQ. 10)

Prl2 = RL2 IOUT² (EQ. 11)

যখন D1 কারণে ক্ষতির গণক, IL1 এর সুর VD নির্ণয় করা মনোযোগ দিতে + IL2:

PD1 = VD × IOUT (EQ 12)

এটি L1 যাতে তার মোট বর্তমান লহরী নির্বাচন করা হয় (DIL1) একটি ভগ্নাংশ (খ = 20% আল 50%) IL1. β জন্য সবচেয়ে খারাপ ক্ষেত্রে ঘটে যখন VIN সর্বোচ্চ, কারণ DIL1 সর্বাধিক যখন IL1 সংক্ষিপ্ত.

ধরে নেওয়া যাক β = 0,5:

L1min = 2 টি (1-αmax) VINmax / IOUT (EQ. 13)

এটি L1 জন্য গণনা করা যে একটি প্রমিত মান ঘনিষ্ঠ চয়ন করুন এবং নিশ্চিত করুন যে তার সম্পৃক্তি বর্তমান সন্তুষ্ট নিম্নলিখিত শর্তাবলী:

IL1sat>> IL1 + 0,5 ΔIL1 = AaminIOUT + + 0,5 TαminVINmin / এটি L1 (EQ. 14)

ও L2 জন্য গণনা যে এটি L1 জন্য অনুরূপ:

L2min = 2 TαmaxVINmax / IOUT (EQ. 15)

IL2sat>> IL2 + 0,5 ΔIL2 = IOUT + + 0,5 TαmaxVINmax / ও L2 (EQ. 16)

L1 ও L2 একই কোর উপর ক্ষত হয়, আপনি দুইটি মানের বৃহত্তর চয়ন করতে. একটি একক কোর পালাক্রমে একই সংখ্যক প্রাপ্ত দুই windings এবং তারপর একই আবেশাঙ্ক মান বাধ্য. অন্যভাবে, দুই windings মধ্যে উত্তেজনা ভিন্ন হবে এবং CP পার্থক্য করার জন্য একটি শর্ট সার্কিট হিসাবে কাজ করবে. windings এর ভোল্টেজের অভিন্ন হন, একই বর্তমান এবং ক্রমসঞ্চিত গ্রেডিয়েন্ট উৎপন্ন. অতএব, প্রতিটি ঘুর প্রাকৃতিক আবেশাঙ্ক L1 ও L2 জন্য গণনা করা মান কেবলমাত্র অর্ধেক সমান হওয়া উচিত.

দুই windings মধ্যে যেহেতু বৃহৎ সম্ভাব্য পার্থক্য নেই, আপনি তাদের একই অপারেশন একসঙ্গে মোড়কে খরচ সঞ্চয় করতে পারেন. windings ক্রস বিভাগে সমতুল্য হন, রেজিস্টিভ লোকসান কারণ তাদের বর্তমান পার্থক্য (IL1 IL2 করতে) ভিন্ন. মোট ক্ষতি, কিন্তু, এটা তোলে কম যখন লোকসান সমানভাবে দুই windings মধ্যে বিতরণ করা হয়, তাই এটি নিয়ে প্রস্থচ্ছেদ সেট করতে হয় প্রতিটি বর্তমান বহন অনুযায়ী ঘুর. এই চামড়া প্রভাব বিপরীতে যখন windings একাধিক সুতা আপ করা হয় না, বিশেষ করে সহজ. পরিশেষে, কোর আকারের একটি অনেক বেশি সম্পৃক্তি বর্তমান মিটমাট করার জন্য চয়ন করা হয় (IL1 + IL2 + DIL1) সর্বোচ্চ প্রত্যাশিত অভ্যন্তরীণ তাপমাত্রা.

আউটপুট ক্যাপাসিটরের উদ্দেশ্য (ব্যয়) Toff সময় D1 দ্বারা সরবরাহকৃত বর্তমান ডাল গড়. বর্তমান ট্রানজিশন পাশবিক হয়, তারপর COUT যেমন একটি flyback টপোলজি ব্যবহৃত যে হিসাবে উপাদান একটি উচ্চ ক্ষমতা সম্পন্ন হওয়া উচিত. ভাগ্যক্রমে, সিরামিক ক্যাপাসিটারগুলিকে আজ কম ESR প্রদান. COUT জন্য সর্বনিম্ন মান লহরী পরিমাণ দ্বারা নির্ধারিত হয় (ΔVOUT) যে সহ্য করা যায়:

ব্যয়> = Aamin IOUT αmin টি / ΔVOUT (EQ. 17)

একটি বাস্তব আউটপুট ক্যাপাসিটরের মান অনেক বড় করা প্রয়োজন হতে পারে, লোড বর্তমান উচ্চ-শক্তি ডাল গঠিত হয়, বিশেষ করে যদি. ইনপুট ক্যাপাসিটরের খুব ছোট হতে পারে, SEPIC টপোলজি ফিল্টারিং বৈশিষ্ট্য ধন্যবাদ. সাধারণত, CIN দশ বার COUT চেয়ে ছোট হতে পারে:

CIN = মূল্য / 10 (EQ. 18)

সূত্রের এই দীর্ঘ ধারাবাহিক পর আমরা একটি সত্যিকারের সার্কিট ডিজাইন থেকে সরানো, তিন লিথিয়াম কোষ inserie সঙ্গে একটি ক্ষমতা LEDs সরবরাহ.
প্রাথমিক তথ্য:

VINmin = 8,1 ভী

VINtyp = 11,1 ভী

VINmax = 12,6 ভী

প্রতি

VOUT = 11,7V

IOUT = 2 একজন

টি = 2μS

এমডি = 0,42 ভী

প্রাথমিক অনুমান একটি বৃত্তাকার নিম্নলিখিত আনুমানিক মান প্রদান করে:

এটি L1 ই ও L2 = 22mH,

RL1 = RL2 = 39mΩ,

Rcp = 50mΩ

Rsw = 35mΩ.

একটি SEPIC পাওয়ার সাপ্লাই এর চিত্র 24 ওয়াট বিরূদ্ধে LM3478

ব্যবহার’সমীকরণ 2

(ARCH দ্বারা + + VD) / VIN = A / (1-একটি) অয় =

প্রথম জিনিস তারা আদর্শ বিকাস কারণের অয় ন্যূনতম VIN সংশ্লিষ্ট নিরূপণ, টিপিক্যাল এবং সর্বোচ্চ 1,568, 1,144 ই 0,968. এই মান ব্যবহার’সমীকরণ 3

আ = [Vout + + VD + + Iout *(কে * RCP + + RL2)] / [ওয়াইন- অয়(RL1 + + Rsw) Iout- Rsw * Iout]

সবচেয়ে সঠিক মান পেতে Aazz 1.735, 1.292 ই 0.88 যথাক্রমে. সংশ্লিষ্ট দায়িত্ব চক্র থেকে উদ্ভূত হয়’সমীকরণ 4

αzz Aazz = / (1 + Aazz), যেখানে ZZ মিনিট, typ ণ সর্বোচ্চ.

আসা 0,611, 0,533 ই 0,492.

ও L2 Corrente (IL2) 2A দ্বিতীয় সমান’সমীকরণ 5

IOUT = IL2

IL1 এবং পরিবর্তনশীল VIN অনুযায়ী. ব্যবহার’সমীকরণ 6

IL1 = Aazz * IOUT

আমরা IL1 মান 3,136A পেতে, 2,288A এবং VIN যেমন 1,936A সর্বনিম্ন থেকে সর্বোচ্চ পরিবর্তিত হয়.

আমরা CP 3,5μF অনিমেষনেত্রে γ = একটি সর্বনিম্ন মান পেতে 4% Nell’সমীকরণ 7

CP> IOUT * αminT / (গ * VINmin)

CP এর নামমাত্র ভোল্টেজ থেকে কাটা যায়’সমীকরণ 1

(VCp)VIN =

ইনপুট ভোল্টেজ 12V অধিক হওয়া উচিত নয় যদি, একটি সিরামিক ক্যাপাসিটরের 16V 10uF হারের যেতে হবে. আধুনিক MLC ক্যাপাসিটারগুলিকে সহজে প্রত্যাশিত Rcp পূরণ 50 এম: এবং সহজে এর শক্তি ক্ষয় সমর্থন 400 মেগাওয়াট থেকে কাটা’সমীকরণ 8.

PCP = Aamin * Rcp * IOUT²

নিম্নলিখিত পরামিতিগুলি সবচেয়ে খারাপ ক্ষেত্রে গণনা করা হয়, যে ন্যূনতম VIN হয়:

থেকে একটি সুইচ 33 এম: অবশ্যই নয়ছয় 500 মেগাওয়াটে অনুযায়ী’সমীকরণ 9,

Psw = Aamin (1 + বিশ্বস্ত) Rsw IOUT²

আপনি একটি ধারক SOT223 মধ্যে একটি বহিস্থিত ট্রানজিস্টার নির্বাচন করতে পারবেন.

The সমীকরণ 10 ই 11

Prl1 = Aamin² Rl1 IOUT²

Prl2 = RL2 IOUT²

ক্ষতি লোকসান 380 ই মেগাওয়াট 156 L1 ও L2 জন্য মেগাওয়াট. আমরা এখানে যাচাই করুন যে এটি L1 এর তামা অধ্যায় ও L2 যে এর চেয়ে বেশী হওয়া উচিত.

ব্যবহার’সমীকরণ 12

PD1 = VD × IOUT

D1 শক্তি ক্ষয় নিরূপণ করা 0,84 ওয়াট, আমরা দেখতে D1 ক্ষতির প্রধান উৎস যে. এটি একটি দক্ষ সংশোধনকারী নির্বাচন করতে তাই গুরুত্বপূর্ণ, যদি না একটি সমকালীন সংশোধনকারী.

এটি L1 জন্য, ঠ’সমীকরণ 13

L1min = 2 টি (1-αmax) VINmax / IOUT

এটা তোলে 9,8μH একটি সর্বনিম্ন মান প্রস্তাব দেওয়া, যার ফলে এটি 22μH আনুমানিক মান পাসে. 22μH একটি হল L1 মান স্বাভাবিক অপারেশন জন্য , ঠ’সমীকরণ 14

IL1sat>> IL1 + 0,5 ΔIL1 = AaminIOUT + + 0,5 TαminVINmin / এটি L1

এটা একটি শিখর বর্তমান উপলব্ধ 3,14 একজন . 5A একটি রেটিং একটি ডিভাইস একটি যুক্তিসঙ্গত মার্জিন উপলব্ধ. নিশ্চিত করুন D1 টিকে থাকতে পারে যে উচ্চ তাপমাত্রা বর্তমান ডাল IL1 করার সমান + IOUT = 5,2 A এবং গড় বর্তমান IOUT = 2A.

একভাবে, ঠ’সমীকরণ 15

L2min = 2 TαmaxVINmax / IOUT

একটি সর্বনিম্ন মান ও L2 করার বিশালাকার 12,4 μH. আবার, 22আহ একটি যুক্তিসঙ্গত মান. অনুযায়ী’সমীকরণ 16

IL2sat>> IL2 + 0,5 ΔIL2 = IOUT + + 0,5 TαmaxVINmax / ও L2

ও L2 বর্তমান পীক সমর্থন করা উচিত 2.2 একজন.

ΔVOUT জন্য(VOUT / 100) 117mV , ঠ’সমীকরণ 17

ব্যয়> = Aamin IOUT αmin টি / ΔVOUT

তিনি বলেন যে, আউটপুট ক্যাপাসিটরের অন্তত 33μF হওয়া উচিত(33) .

এল’সমীকরণ 18

CIN = মূল্য / 10

3,3μF বলছেন যে CIN জন্য যথেষ্ট হওয়া উচিত.

এটা তোলে সরবরাহ ব্যবস্থাপনা R1 জন্য ব্যবহৃত ইন্টিগ্রেটেড LM3478 এর মাত্র তিন টিপিক্যাল উপাদান বর্ণনা করতে থাকে, পিন করা রোধ সঙ্গে R2 এবং R3 একসঙ্গে 7.

R1 এবং R2 হলো যাতে একটি পরবর্তী ব্লক ট্রিগার আউটপুট ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রণের জন্য পিন বিভাজক এ ভোল্টেজ পর্যন্ত ট্রানজিস্টার গঠনের 3 1.25V নিচে ড্রপ

একটি সংক্ষিপ্ত-সার্কিট বর্তমান সুরক্ষা পেতে L1 মধ্যে প্রবাহিত প্রয়োজনীয়তার R3, মূল্যবোধ, সীমা 8A সম্পর্কে এ সেট করা হয়

পিন প্রতিরোধের 7 দোলন ফ্রিকোয়েন্সি স্থাপন, মান যা 500KHz একটি ফ্রিকোয়েন্সি সমান 2US মোট সময়ের বোঝায়.

হিসেবে দেখা যেতে পারে একটি SEPIC একটি সহজ নকশা নয় কিন্তু চূড়ান্ত ফলাফল আকার এবং বর্তনী সরলতা পরিপ্রেক্ষিতে বিস্ময়কর. যদি আপনি পৃথক windings এর আবেশাঙ্ক মান আধলা যায় উভয় আবেশক জন্য একটি একক কোর ব্যবহার করতে চান.

অপারেশন জন্য মৌলিক যে দুটি কয়েল অভিন্ন মান আছে অন্যথায় ডায়োডের বিরতি প্রাথমিক অনুমিতি কম গড় মান আসছে দুই inductances মধ্যে নাল.

এই আমি কাউকে সাহায্যের হচ্ছে আশা যারা এই সার্কিট আগ্রহী ছেড়ে

Amilcare গ্রিটিংস